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PNY MN8GSD42666 modulo di memoria 8 GB 1 x 8 GB DDR4 260-pin SO-DIMM
PNY MN8GSD42666 modulo di memoria 8 GB 1 x 8 GB DDR4 260-pin SO-DIMM
PNY MN8GSD42666 modulo di memoria 8 GB 1 x 8 GB DDR4 260-pin SO-DIMM

PNY MN8GSD42666 modulo di memoria 8 GB 1 x 8 GB DDR4 260-pin SO-DIMM

PNY Technologies
EAN 3536403405250
Codice prodotto MN8GSD42666-SB
Disponibilità 29 pezzi pronti
Tempi di consegna Spedizione in 24-72 ore con corriere espresso; gli ordini entro le 16:00 nei giorni lavorativi partono in giornata
Peso 0,011 kg
Misure imballo 9,8 × 0,3 × 5 cm
57,74 €
Tasse incluse
CAS latency: 19; Componente per: Laptop; Memoria interna: 8 GB; Tipo memoria interna: DDR4; Velocità clock memoria: 2666 MHz; Fattore di forma memoria: 260-pin SO-DIMM; Configurazione memoria (moduli x capacità): 1 x 8 GB
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CAS latency: 19; Componente per: Laptop; Memoria interna: 8 GB; Tipo memoria interna: DDR4; Velocità clock memoria: 2666 MHz; Fattore di forma memoria: 260-pin SO-DIMM; Configurazione memoria (moduli x capacità): 1 x 8 GB

  • Marca
    • EAN 3536403405250
    Codice prodotto MN8GSD42666-SB
    Disponibilità 29 pezzi pronti
    Tempi di consegna Spedizione in 24-72 ore con corriere espresso; gli ordini entro le 16:00 nei giorni lavorativi partono in giornata
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    Misure imballo 9,8 × 0,3 × 5 cm
  • Riferimento
    MN8GSD42666-SB
  • In magazzino
    29 Articoli
  • ean13
    3536403405250

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